Western Digital gibt die erfolgreiche Entwicklung der nächsten Generation der 3D-NAND-Technologie, BiCS3, mit einer Speicherkapazität von 64 Layern bekannt. Die Vorserienfertigung der neuen Technologie hat in den Yokkaichi Joint-Venture-Anlagen in Japan bereits begonnen und erste Ergebnisse werden im Laufe des Jahres erwartet. Western Digital rechnet mit aussagekräftigen kommerziellen Stückzahlen von BiCS3 in der ersten Jahreshälfte 2017.
“Die Einführung der nächsten Generation der 3D-NAND-Technologie auf Basis unserer führenden 64-Layer-Architektur stärkt unsere Führung im Bereich der NAND-Flash-Technologien“, sagt Dr. Siva Sivaram, Executive Vice President Memory Technology bei Western Digital. „Dank der 3-Bit-pro-Zelle-Technologie und einer fortschrittlichen und wirkungsstarken Halbleiterverarbeitung, bietet BiCS3 höhere Kapazitäten, stärkere Leistung und größere Zuverlässigkeit zu einem attraktiven Preis. Zusammen mit BiCS2 ist unser 3D-NAND Portfolio erheblich gewachsen, was uns hilft ein breites Spektrum an Kundenanwendungen im Einzelhandel, Mobilfunk und im Datenzentrum abzudecken.“
BiCS3 wurde zusammen mit Toshiba, dem Technologie- und Fertigungspartner von Western Digital, entwickelt. Die 3D-NAND-Technologie wird zunächst in einer Kapazität von 256 Gigabit ausgeliefert und künftig in einer Reihe von Kapazitäten von bis zu einem halben Terabit in einem einzigen Chip verfügbar sein. Western Digital erwartet Versandmengen von BiCS3 für den Einzelhandelsmarkt im vierten Quartal des Kalenderjahres 2016 und einen Beginn des OEM-Samplings im laufenden Quartal. Der Versand der vorherigen Generation der 3D-NAND-Technologie des Unternehmens, BiCS2, für Einzelhandel und OEM wird fortgesetzt.
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